SiC探测器针脚

      SiC探测器具有禁带宽度大、暗电流小、原子离位能大、热传导系数高以及耐击穿电压高等优点，这些良好的物理特性和化学稳定性使得制作的SiC探测器在抗高温、抗辐射以及耐高击穿电压等方面的性能非常优越。海鹏里拥有灵敏面积为10×10mm的SiC探测器，烘烤温度可达350℃

     SiC探测器型号规格：

序号	型号	灵敏面积	耗尽区厚度	烘烤温度
1	SiC-S5-20P	5×5mm2	20μm	≤100℃
2	SiC-H5-20P	5×5mm2	20μm	≤350℃
3	SiC-S10-20P	10×10mm2	20μm	≤100℃
4	SiC-H10-20P	10×10mm2	20μm	≤350℃
5	SiC-S10-35P	10×10mm2	35μm	≤100℃
6	SiC-H10-35P	10×10mm2	35μm	≤350℃

SiC探测器参数规格：

1	灵敏面积	5mm×5mm、10mm×10mm
2	耗尽区厚度	20µm、35µm
3	N掺杂浓度	1E14/cm3
4	耐高温	100°C、350°C
5	漏电流小于	≤10nA@100V
6	241Am-α源能谱	≤1.0%

 SiC半导体探测器可用于α、β、γ、n辐射测量，广泛应用于军工、核能、电子、航天等领域。