SiC探测器平面电极

产品概述：

SiC半导体探测器具有禁带宽度大、暗电流小、原子离位能大、热传导系数高以及耐击穿电压高等优点，这些良好的物理特性和化学稳定性使得制作的SiC探测器在抗高温、抗辐射以及耐高击穿电压...

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SiC半导体探测器具有禁带宽度大、暗电流小、原子离位能大、热传导系数高以及耐击穿电压高等优点，这些良好的物理特性和化学稳定性使得制作的SiC探测器在抗高温、抗辐射以及耐高击穿电压等方面的性能非常优越。
SiC探测器参数规格：

序号	型号	灵敏面积	耗尽区厚度	烘烤温度
1	SiC-S5-20P	5×5mm2	20μm	≤100℃
2	SiC-H5-20P	5×5mm2	20μm	≤350℃
3	SiC-S10-20P	10×10mm2	20μm	≤100℃
4	SiC-H10-20P	10×10mm2	20μm	≤350℃
5	SiC-S10-35P	10×10mm2	35μm	≤100℃
6	SiC-H10-35P	10×10mm2	35μm	≤350℃

SiC探测器参数规格：

灵敏面积	5mm*5mm   10mm*10mm
耗尽区厚度	20μm    35μm
耐高温	100°C、350°C
N掺杂浓度	1E14/cm3
漏电流小于	≤10nA@100V
241Am-α源能谱	≤1.0%

探测器可用于α  β  γ  n 核辐射测量，广泛应用于军工、核能、电子、航天等领域。